较低温度下采用高KOH浓度进行活性炭活化：HF500 在600℃、720℃活化产物和AR500 在700℃活化产物的等温吸附线属典型的Ⅰ型，存在非常明显的饱和吸附平台。当活化温度从720℃升至900℃时，N2 的饱和吸附量明显增加，平台前的"陡坡"的相对压力范围明显加宽，说明其内部含有较多的电孔结构。当温度升高至900℃时，HF500 活性炭饱和吸附量下降，曲线在高压部分有明显的Ⅳ型等温线中孔毛细凝聚的特征，说明产物中中孔含量己相当高(占总孔容的68%)。当活化温度达9ooC时，活性炭在2~5nm范围内的中孔段曲线相对于850℃活化产物下移，峰宽变窄，说明活性炭活化温度过高不利于大直径中孔的形成与保留。AR500 样品随活化温度升高，总孔容、中孔孔容和微孔孔容均随着上升，这主要是原料的组成与结构不同所致。
    较低温度下采用高KOH浓度进行活化，其刻蚀主要从孔边缘的无定形碳开始，大孔扩成超大孔，中孔扩成大孔，小孔扩成中孔；即在原有孔的位置上发生二次、三次或多次成孔。而对稳定性高的碳原子如炭网平面内及炭网边缘不受官能团供电子或拉电子效应影响的碳原子，只有在更高的活化温度下才能被激活，产生新的活性点而成孔，因此可以选择适宜的活化工艺参数来调控活性炭比表面积和孔结构。